Оперативная память 4GB 1333MHz DDR3 ECC CL9 DIMM, KVR1333D3E9S/4G

Оперативная память 4GB 1333MHz DDR3 ECC CL9 DIMM
Технические характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC есть
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В