- Код товараM393A4G43AB3-CWE
- ПроизводителиSamsung
- НаличиеПредзаказ
23 524.80 ₽
- Базовая единицашт
- Время задержки CAS22
- Все характеристики
Почта для заявок - Info@zinvi.ru
Текст скопирован
Оперативная память Samsung 32GB M393A4G43AB3-CWE доступна для заказа. Zinvi.ru предлагает к поставке модуль памяти M393A4G43AB3-CWE емкостью 32GB от бренда Samsung. Модуль памяти DDR4 32GB Samsung M393A4G43AB3-CWE - это высококачественный и надежный компонент, предназначенный для повышения производительности и расширения памяти в вашем компьютере или сервере. Этот модуль обеспечивает быструю и стабильную работу, что делает его идеальным выбором для использования в требовательных приложениях.
Вы можете купить память M393A4G43AB3-CWE по низкой цене на нашем сайте. Технические специалисты помогут вам с подбором оборудования по вашему запросу. Также вы можете оформить доставку в любой регион.
M393A4G43AB3-CWE имеет емкость 32 ГБ и работает на частоте 2400 МГц, обеспечивая высокую производительность и быстродействие. Он также поддерживает передачу данных с пиковой скоростью до 19,2 ГБит/с, что обеспечивает быструю загрузку программ.
Характеристики:
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор памяти: RDIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Эффективная частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 МБ/c
Поддержка ECC
Буферизованная (регистровая)
Количество чипов на модуле: 18 шт
Количество контактов памяти: 288
Количество ранков: 2
Вы можете купить память M393A4G43AB3-CWE по низкой цене на нашем сайте. Технические специалисты помогут вам с подбором оборудования по вашему запросу. Также вы можете оформить доставку в любой регион.
M393A4G43AB3-CWE имеет емкость 32 ГБ и работает на частоте 2400 МГц, обеспечивая высокую производительность и быстродействие. Он также поддерживает передачу данных с пиковой скоростью до 19,2 ГБит/с, что обеспечивает быструю загрузку программ.
Характеристики:
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор памяти: RDIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Эффективная частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 МБ/c
Поддержка ECC
Буферизованная (регистровая)
Количество чипов на модуле: 18 шт
Количество контактов памяти: 288
Количество ранков: 2
Основные
- Базовая единицашт
- Время задержки CAS22
- Конфигурация памяти (модули х емкость)1x32Gb
- Объем модуля DRAM, Гб32
- Поддержка ECC памятиДа
- Тактовая частота памяти3200МГц
- Форм-фактор памятиRDIMM
- ПроизводительSamsung
- Тип устройстваПамять
- Тип оперативной памятиDDR4
- Напряжение питания1.2В
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
