Код товара:
M393B5270CH0-YH9Q4Производители
SamsungПо запросу
Почта для заявок - Info@zinvi.ru
Текст скопирован
Базовая единица
штОбъем модуля DRAM, Гб
4Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 доступна для заказа. Вы можете купить M393B5270CH0-YH9Q4 по самой выгодной цене. Технические специалисты помогут вам с подбором оборудования по вашему запросу.
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 – это модуль памяти, созданный компанией Samsung. Он предназначен для использования в серверных системах и обладает высокой производительностью и надежностью.
Модуль поддерживает скорость передачи данных DDR3-1333, что позволяет эффективно обмениваться данными между процессором и памятью. M393B5270CH0-YH9Q4 соответствует стандарту DIMM (Dual In-Line Memory Module) и имеет 240-контактный разъем. Это позволяет его просто устанавливать и заменять в совместимых системах.
Модуль работает при напряжении питания 1,5 вольт, что обеспечивает энергоэффективность и снижение потребления электроэнергии.
Характеристики:
Тип оборудования: Модуль памяти Registered DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Форм-фактор памяти: DIMM
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3L-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность памяти: 10600 Мб/сек
Тайминги памяти: 7-7-7-20
Memory rank: single
Поддержка ECC: Есть
Напряжение питания: 1.35 В
Оперативная память Samsung M393B5270CH0-YH9Q4 – это модуль памяти, созданный компанией Samsung. Он предназначен для использования в серверных системах и обладает высокой производительностью и надежностью.
Модуль поддерживает скорость передачи данных DDR3-1333, что позволяет эффективно обмениваться данными между процессором и памятью. M393B5270CH0-YH9Q4 соответствует стандарту DIMM (Dual In-Line Memory Module) и имеет 240-контактный разъем. Это позволяет его просто устанавливать и заменять в совместимых системах.
Модуль работает при напряжении питания 1,5 вольт, что обеспечивает энергоэффективность и снижение потребления электроэнергии.
Характеристики:
Тип оборудования: Модуль памяти Registered DDR3
Объем модуля памяти: 4 Гб
Форм-фактор памяти: DIMM
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти: PC3L-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность памяти: 10600 Мб/сек
Тайминги памяти: 7-7-7-20
Memory rank: single
Поддержка ECC: Есть
Напряжение питания: 1.35 В
Основные
Базовая единица
шт
Объем модуля DRAM, Гб
4
Поддержка ECC памяти
Да
Тактовая частота памяти
1333 МГц
Форм-фактор памяти
DIMM
Производитель
Samsung
Тип устройства
Память
Тип оперативной памяти
DDR3
Напряжение питания
1.35 В
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары